Pengesan foto gandaan boleh laras ROF Si Pengesan foto Silikon
Ciri
Julat spektrum: 320nm ~ 1100nm
Lebar jalur 3dB: sehingga 11MHz
Tetapan gandaan maksimum: 4.75×106 V/A (beban impedans tinggi)
Bunyi bising yang rendah
Input gandingan optik ruang, gandingan gentian pilihan
Permohonan
Pengesanan cahaya yang lemah
Sistem pengesan gentian optik
Komunikasi optik angkasa lepas
Maklumat pesanan
| Model Parameter | ROF-PR-11M-B | ROF-PR-13M-A |
| Kekerapan tindak balas | DC-11MHz | DC-13MHz |
| Jenis | Silikon(Si) | Indium Galium Arsenida (InGaAs) |
| Kepekaan terhadap cahaya 1 | 320nm~1100nm | 900nm~1700nm |
| Kawasan fotosensitif | Ø9.8 mm (75.4 mm2 ) | Ø1.0 mm (0.8 mm2 ) |
Nota 1: Nilai anggaran; Nilai panjang gelombang sebenar mungkin berbeza-beza
Parameter
| Spesifikasi Prestasi 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0dB penetapan | 40dB penetapan | ||
| Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 1.50 x 103V/A ±2% | Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 1.50 x 105V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 0.75 x 103V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 0.75 x 105V/A ±2% |
| Lebar jalur 3dB 3 | 11 MHz | Lebar jalur 3dB | 150 ribu |
| Bunyi (RMS) | 400uV | Bunyi (RMS) | 500uV |
| berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) | berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) |
| 10dB penetapan | 50dB penetapan | ||
| Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 4.75 x 103V/A ±2% | Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 4.75 x 105V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 2.38 x 103V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 2.38 x 105V/A ±2% |
| Lebar jalur 3dB | 1.4 MHz | Lebar jalur 3dB | 50 ribu |
| Bunyi (RMS) | 350uV | Bunyi (RMS) | 520 uV |
| berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) | berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) |
| 20dB penetapan | 60dB penetapan | ||
| Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 1.50 x 104V/A ±2% | Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 1.50 x 106V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 0.75 x 104V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 0.75 x 106V/A ±2% |
| Lebar jalur 3dB | 1.0MHz | Lebar jalur 3dB | 20 ribu |
| Bunyi (RMS) | 380uV | Bunyi (RMS) | 760 uV |
| berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) | berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) |
| 30dB penetapan | 70dB penetapan | ||
| Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 4.75 x 104V/A ±2% | Gain (rintangan tinggi>5k Ω) | 4.75 x 106V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 2.38 x 104V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 2.38 x 106V/A ±2% |
| Lebar jalur 3dB | 400K | Lebar jalur 3dB | 10 ribu |
| Bunyi (RMS) | 380uV | Bunyi (RMS) | 1.43mV |
| berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) | berat sebelah | ±8 mV (Tipikal) ±20mV (Maks.) |
Nota 2:ROF-PR-11M-B mempunyai perintang penamat siri 50 Ω (iaitu disambungkan secara siri dengan output penguat). Ini membentuk pembahagi voltan dengan sebarang impedans beban (seperti beban 50 Ω yang membelah isyarat kepada separuh).
Nota 3: Jalankan ujian pada panjang gelombang 850nm. Untuk panjang gelombang inframerah dekat, masa kenaikan komponen fotodiod akan menjadi lebih perlahan, yang mungkin mengehadkan lebar jalur berkesan pengesan amplifikasi.
Parameter Umum
| Projek | sym | nilai |
| Jenis pengesan | - | Si |
| Permukaan fotosensitif | - | Ø9.8 mm (75.4 mm2 ) |
| Panjang gelombang puncak | λp | 960 nm (Tipikal) |
| Tindak balas puncak | (λ p) | 0.72 A/B (Typ.) |
| Impedans keluaran | - | 50Ω |
| Amplitud arus keluaran maksimum | Imax | 100mA |
| Amplitud voltan keluaran maksimum | Vmax | 10.00V @ impedans tinggi 5.00V@50 Ω beban |
| Julat beban | - | >50 Ω |
| Julat pelarasan gandaan | - | 0dB~70dB |
| Langkah naik | - | 10 dB |
| Suis kuasa | - | sisi |
| Suis gandaan | - | Gear ke-8 |
| Keluaran | - | SMA (Gandingan DC) |
| Dimensi produk | - | 66.6mm*52.2mm*22.4mm |
| Kedalaman permukaan PD 4 | - | 6.1mm |
| Berat (tidak termasuk aksesori) | - | 70g |
| Aksesori | - | Gandingan SM1T1, cincin penahan SM1RR |
| Bekalan kuasa | - | Penyesuai AC-DC ± 12V |
| Watt bekalan kuasa | - | 6 W 100V/120V/230V, 50-60 Hz |
Nota 4: Ketinggian anggaran dari permukaan struktur perumah ke permukaan fotodiod boleh mengakibatkan ralat pemasangan dalam amalan.
Keadaan yang mengehadkan
| Parameter | sym | Unit | Min | Tipikal | Maks |
| Kuasa optik input | Pin | mW | - | - | 25 |
| Voltan Kerja | Vop | V | ±10.8 | ±12 | ±13.2 |
| Suhu Operasi | Atas | ºC | -10 | - | 60 |
| Suhu penyimpanan | Ujian | ºC | -40 | - | 85 |
| kelembapan | RH | % | 5 | - | 90 |
Lengkung
Lengkung ciri
ROF-PR-11M-B Gambarajah tindak balas sensitiviti
Saiz pakej (mm)
Tentang Kami
Rofea Optoelektronik mempamerkan pelbagai jenis produk elektro-optik termasuk modulator, fotodetektor, sumber laser, laser dfb, penguat optik, EDFA, laser SLD, modulasi QPSK, laser berdenyut, fotodetektor, fotodetektor seimbang, laser semikonduktor, Pemacu laser, pengganding gentian, laser berdenyut, penguat gentian, meter kuasa optik, laser jalur lebar, laser boleh tala, kelewatan optik, modulator elektro-optik, fotodetektor, pemacu diod laser, penguat gentian, penguat gentian didop erbium dan laser sumber.
Kami juga menyediakan modulator tersuai, termasuk modulator fasa tatasusunan 1*4, modulator nisbah kepupusan ultra rendah dan ultra tinggi, yang direka khas untuk universiti dan institut penyelidikan.
Produk-produk ini mempunyai lebar jalur elektro-optik sehingga 40 GHz, julat panjang gelombang dari 780 nm hingga 2000 nm, kehilangan sisipan yang rendah, Vp yang rendah dan PER yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk pelbagai pautan RF analog dan aplikasi komunikasi berkelajuan tinggi.
Rofea Optoelektronik menawarkan rangkaian produk modulator Elektro-optik komersial, modulator Fasa, modulator Keamatan, Pengesan Foto, Sumber cahaya laser, laser DFB, Penguat optik, EDFA, laser SLD, modulasi QPSK, Laser denyut, Pengesan cahaya, Pengesan foto seimbang, Pemacu laser, Penguat gentian optik, Meter kuasa optik, Laser jalur lebar, Laser boleh tala, Pengesan optik, Pemacu diod laser, Penguat gentian. Kami juga menyediakan banyak modulator tertentu untuk penyesuaian, seperti modulator fasa tatasusunan 1*4, Vpi ultra rendah dan modulator nisbah kepupusan ultra tinggi, yang terutamanya digunakan di universiti dan institut.
Semoga produk kami dapat membantu anda dan kajian anda.
